台积电2nm工艺研发进展超预期 采用环绕栅极晶体管技术

　　在7月16日的二季度财报分析师电话会议上，台积电 CEO 魏哲家透露，他们 3nm 工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)，计划在明年风险试产，2022年下半年大规模投产。同多次提及的3nm工艺相比，台积电目前并未公布太多2nm工艺的消息，在近几个季度的财报分析师电话会议上均未曾提及。

　　虽然台积电方面未对外公布2nm工艺的消息，但外媒援引产业链人士透露的消息，还是进行过多次报道。

　　在最新的报道中，外媒援引产业链消息人士的透露报道称，台积电2nm工艺的研发进展超出预期，快于他们的计划。这一消息人士还透露，台积电的 2nm 工艺，不会继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术，而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。

　　在此前报道中，外媒提及的与台积电2nm工艺相关的信息，出现过两次，均是在8月底。其一是台积电已在谋划2nm工艺的芯片生产工厂，将建在总部所在的新竹科学园区，台积电负责营运组织的资深副总经理秦永沛，透露他们已经获得了建厂所需的土地。第二次是在上月底的台积电2020年度全球技术论坛上，他们透露正在同一家主要客户紧密合作，加快2nm工艺的研发进展，相关的投资也在推进。